La pénurie de puces a-t-elle un impact significatif sur l’approvisionnement en diodes dans les équipements énergétiques ?

一, Déséquilibre entre l'offre et la demande : le marché des diodes pour équipements énergétiques est confronté à des pénuries structurelles
1. Croissance explosive du côté de la demande
Le marché mondial des équipements énergétiques connaît une double expansion : d'une part, les ventes de véhicules à énergies nouvelles sont passées de 12,866 millions d'unités en 2023 à plus de 20 millions d'unités en 2025, avec un seul véhicule utilisant plus de 2000 diodes ; D’autre part, la capacité installée de stockage d’énergie augmente à un taux de croissance annuel composé de 45 %. D'ici 2025, la demande mondiale de diodes de stockage d'énergie atteindra 9 milliards et la taille du marché dépassera 4 milliards de yuans. Le domaine photovoltaïque connaît également une tendance explosive, avec une augmentation mondiale attendue de la capacité photovoltaïque installée de 400 GW d’ici 2025, correspondant à une demande de plus de 5 milliards de diodes.

2. De multiples contraintes du côté de l’offre
Risque de concentration de la capacité de production : plus de 70 % de la capacité mondiale de production de diodes de qualité automobile est concentrée dans quelques sociétés telles que Anshi Semiconductor et Infineon, et les fluctuations de la capacité de production de leurs usines de Dongguan et de Julin en Allemagne affectent directement l'offre mondiale. Le rachat d’Ansea Semiconductor par le gouvernement néerlandais en 2025 a directement entraîné la fermeture des usines Honda au Mexique et déclenché une pénurie de modules BMS pour les systèmes de stockage d’énergie.
Barrière du cycle de certification : les diodes des équipements énergétiques doivent passer des certifications strictes telles que AEC-Q101 et UL, avec un cycle de certification allant jusqu'à 6 à 18 mois. Une entreprise internationale de stockage d'énergie a révélé que le retard dans la certification des diodes de son nouveau produit avait entraîné un retard de 3 mois dans la livraison du projet et une perte directe de plus de 20 millions de dollars américains.
Goulet d'étranglement en matière de matières premières : L'approvisionnement restreint en substrats en carbure de silicium (SiC) est devenu un goulot d'étranglement. D'ici 2025, le taux de pénétration des diodes SiC passera de 12 % à 38 %, mais 90 % de la capacité mondiale de production de substrats SiC de 6 pouces est monopolisée par des sociétés américaines telles que Wolfspeed et Cree, ce qui entraînera un taux de rendement de seulement 60 % pour les fabricants nationaux, entraînant une augmentation annuelle de 7 à 9 % des prix des diodes SiC.
2, Substitution technologique : percée de l’innovation en période de crise
1. Accélération des itérations matérielles
Optimisation basée sur le silicium : les diodes Schottky à tranchée utilisent une technologie de gravure en tranchée profonde pour réduire la chute de tension directe de 0,45 V à 0,28 V, augmentant ainsi l'efficacité du système de 0,4 point de pourcentage. Ils ont été largement adoptés par des entreprises telles que Sunac Power.
Percée dans la large bande interdite : la technologie domestique Yangjie lance la diode Schottky SiC 1 700 V, brisant le monopole international et maintenant une marge bénéficiaire brute de plus de 50 % ; La technologie Huawei Power S utilise des diodes GaN pour réduire de 10 % la consommation d'énergie des systèmes de stockage d'énergie à supercondensateurs.
2. Révolution de l'encapsulation
Structure verticale tridimensionnelle : La diode PiN verticale optimise le chemin du courant pour augmenter la densité de courant à plus de 200 A/cm², réduisant ainsi le nombre de composants de la station de conversion de 30 %.
Intégration intelligente : Littelfuse a lancé un module intégré diode + puce de détection de température, au prix de 0,45 $ avec une marge bénéficiaire brute de 60 %, favorisant l'évolution des modules BMS vers la miniaturisation.
3. Innovation au niveau du système
Optimisation de la topologie : PCS (convertisseur de stockage d'énergie) utilisant un schéma hybride SiC MOSFET+diode, avec une fréquence de commutation augmentée de 16 kHz à 50 kHz et une perte du système réduite de 40 %.
Compensation logicielle : BYD ajuste dynamiquement les paramètres de fonctionnement des diodes grâce à des algorithmes d'IA, prolongeant la durée de vie des modules IGBT de 20 % et remplaçant partiellement la demande de diodes haut de gamme.
3, Substitution nationale : double moteur de la politique et du marché
1. L’expansion des capacités s’accélère
Montée des plus grandes entreprises : Yangjie Technology se classe au premier rang en Chine avec une part de marché de 19,8 %. Sa ligne de production de diodes de qualité automobile de 12 pouces sera mise en service en 2025, avec une capacité de production annuelle de 5 milliards de pièces ; Les diodes Silan Micro SiC détiennent une part de marché de 28 % et sont entrées dans la chaîne d'approvisionnement de Tesla.
Écosystème d'intégration verticale : les fabricants de systèmes tels que BYD et Sunac Power ont établi conjointement une alliance « Materials Chip Packaging and Testing » avec des sociétés de diodes, réduisant ainsi le cycle de livraison de 20 semaines à 8 semaines.
2. Libération des dividendes politiques
Soutien à la stratégie « Dual Carbon » : le pays inclura les diodes de stockage d'énergie dans le « Plan d'action pour le développement de l'industrie des composants électroniques de base » et accordera une réduction d'impôt de 30 % pour la recherche et le développement de substrats SiC.
Contre-mesures de contrôle des exportations : la Chine met en œuvre une gestion des licences pour les-exportations de diodes haut de gamme, obligeant les entreprises nationales à augmenter leurs taux d'autosuffisance-et à atteindre un taux de localisation de 70 % d'ici 2025.
3. Percée sur le marché international
Pénétration des marchés émergents : les marchés photovoltaïques en Inde et en Asie du Sud-Est ont explosé, et les entreprises chinoises de diodes augmenteront leur part de marché à l'étranger de 32 % à 40 % d'ici 2025, en tirant parti de leurs avantages en termes de coût-efficacité.
Amélioration du pouvoir de discours standard : La « Spécification technique pour les diodes de stockage d'énergie » dirigée par la Chine est devenue un projet de norme internationale de la CEI, brisant le monopole des États-Unis et de l'Europe.