Caractéristique MOSFET

Par rapport aux transistors bipolaires, les MOSFET ont les caractéristiques suivantes.

(1) FET est un dispositif de contrôle de tension, qui contrôle l'ID (courant de drain) via VGS (tension de source de grille);

(2) Le courant d'entrée de commande du FET est très faible, sa résistance d'entrée (107 ~ 1012 Ω) est donc très grande.

(3) Il utilise la plupart des transporteurs pour conduire l'électricité, donc sa stabilité de température est bonne;

(4) Le coefficient d'amplification de tension du circuit d'amplification composé du transistor est inférieur à celui du circuit d'amplification composé de la triode ;

(5) La résistance aux radiations du FET est forte ;

(6) Le bruit est faible car il n'y a pas de bruit de tir causé par la diffusion électronique du mouvement chaotique.