REDRESSEURS À BARRIÈRE SCHOTTKY Mbr20200CT

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REDRESSEURS À BARRIÈRE SCHOTTKY Tension inverse - 40 à 200 V Courant direct - 10 A

Présentation du produit barrière Schottky mbr20100ct

Obtenez une compréhension plus approfondie des avantages et des caractéristiques des produits Schottky barrière mbr20100ct

Avec le développement de la technologie et la demande croissante d'appareils électroniques, la demande de divers composants électroniques augmente également. La barrière Schottky mbr20100ct est un dispositif électronique haute performance et haute efficacité qui présente des avantages uniques pour répondre à différents besoins d'application. Présentez les fonctions, les caractéristiques et les avantages du produit barrière Schottky mbr20100ct dans différents domaines d'application.

fonction

La diode Schottky barrière mbr20100ct est une diode à récupération rapide caractérisée par une faible chute de tension directe et une vitesse de commutation rapide. Cette diode utilise la technologie de barrière Schottky pour atteindre sa fonctionnalité et ses performances uniques.

Puce barrière Schottky

La technologie de barrière Schottky est l'une des technologies de base de la barrière Schottky mbr20100ct. Elle utilise des matériaux en aluminium et en silicium pour former une barrière Schottky entre l'électrode et le semi-conducteur. Ce type de barrière a une très faible résistance, ce qui peut entraîner une densité de courant élevée et un rapport d'amplification de tension alternative rapide. Par conséquent, ce type de diode est très adapté aux applications à haute puissance et peut fonctionner efficacement dans des environnements à haute fréquence.

Idéal pour l'assemblage automatique

La diode Schottky barrière mbr20100ct présente également l'avantage d'être assemblée automatiquement. Ce type de diode est généralement conditionné dans des petits boîtiers tels que TO-220AB et DPAK. Ce conditionnement garantit une gestion thermique et un traitement mécanique efficaces, ce qui facilite l'assemblage automatique de ce dispositif.

Faible consommation d'énergie et haute efficacité

La barrière Schottky mbr20100ct présente les avantages d'une faible consommation d'énergie et d'un rendement élevé. Elle utilise une très faible résistance de conduction et de très faibles pertes de commutation, ce qui peut offrir un rendement plus élevé dans les applications à haute puissance. Par conséquent, la barrière Schottky mbr20100ct est devenue l'un des composants électroniques les plus populaires dans les appareils électroniques.

Surcharge nominale de surtension jusqu'à 150 A crête

Une autre caractéristique notable de la barrière Schottky mbr20100ct est que sa capacité de surcharge en cas de surtension atteint un pic de 150 A. Par conséquent, ils ont de bons effets pour atténuer les pics de surintensité et prévenir les surtensions.

Pour les applications basse tension

La barrière Schottky mbr20100ct est également largement utilisée dans les applications basse tension. Par exemple, ils sont utilisés dans les systèmes d'éclairage LED et les panneaux solaires. La barrière Schottky mbr20100ct a une réponse et une vitesse de commutation rapides, ce qui peut empêcher la surcharge de courant et le court-circuit des ampoules LED.

Structure du moule de la bague de retenue

La barrière Schottky mbr20100ct adopte une structure de moule annulaire de protection, qui peut maintenir la stabilité et augmenter la durabilité du système dans des environnements à haute température et humidité. La structure du moule annulaire de protection permet de maintenir des conditions de travail normales sous des charges élevées et des températures élevées.

Matériau de la coque en plastique

Le matériau de la coque de la barrière Schottky mbr20100ct est généralement en plastique avec un niveau de classification d'inflammabilité UL 94V-O. Ce matériau est très durable et peut efficacement empêcher les dommages aux appareils électroniques.

Valeurs nominales maximales et caractéristiques thermiques

TRR partage des technologies de base dans de nombreux domaines tels que les plaquettes, les boîtiers, les tests d'appareils et la conception d'applications, etc. Nous nous consacrons à la recherche, à la fabrication, à la vente et à la conception de schémas d'application de nouveaux types de composants, et avons déjà obtenu plus de 80 brevets d'invention autorisés au niveau national, notamment le pont MB10F général dans l'industrie de l'alimentation électrique, le pont UMB10F/B7 utilisé dans l'industrie des LED, le plus petit pont IBS au monde et les produits à haute température de jonction en série. Notre société se concentre sur la fourniture de produits et de services couramment utilisés dans l'industrie et personnalisés en fonction des exigences des utilisateurs, les produits étant largement utilisés dans de nombreux domaines tels que l'alimentation électrique et les adaptateurs (client : alimentation SUNGROW), l'éclairage vert (clients : MLS, éclairage TOSPO), les routeurs (client : Huawei), les téléphones intelligents (clients : Huawei, Xiaomi, OPPO) et les produits de communication, l'électricité automobile (client : SAIC General Motors), les transformateurs de fréquence, les gros et petits appareils électroménagers (client : Gree), le domaine de la protection de sécurité (HIKVISION, DAHUA) et d'autres domaines.

Réalisations en recherche et développement de puces

Puce de base Puce de base

★ 2005 a développé un processus de fabrication de puces TVS 2005 a développé un processus de fabrication de puces TVS ;

★ 2006 développé 2006 développé zzener ener puce fabrication puce processus de fabrication ;

★ 2009 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer un processus de puce SF 2009 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer un processus de puce SF ;

★ 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3

★ 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3 ;

★ 2011 développement du processus de fabrication de puces DU3 2011 développement du processus de fabrication de puces DU3 avec droits de brevet avec droits de brevet ;

★ Puce TVS haute puissance développée en 2017

Q : Quels sont vos produits ?

A : Diodes, transistors, Mosfet, pont

Q : Quel est le MOQ pour vos produits ?

R : Généralement selon SPQ

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