1N4748A

Introduction du produit Zener Diode 1N4748A:

Circuit stable à haute puissance planaire de silicium Diode zener

Avec le développement continu de la technologie, l'application des produits électroniques devient de plus en plus répandue, en particulier à l'ère de l'information actuelle, où la technologie électronique est largement utilisée. Parmi ces produits électroniques, la stabilité du circuit est particulièrement importante car elle peut déterminer directement la durée de vie et l'efficacité opérationnelle du produit. Dans la conception du circuit, les diodes Zener sont un composant important de la stabilité du circuit, et la puissance planaire de silicium Les diodes Zener sont les diodes Zener les plus couramment utilisées et les plus performances, avec les caractéristiques des circuits stables et de la puissance élevée.

fonction

Les diodes Zener à puissance planaire en silicium sont principalement utilisées pour les circuits de stabilisation et d'écrêtage avec une puissance élevée. Il s'agit d'un composant semi-conducteur avec une structure spéciale qui peut présenter les caractéristiques d'une diode régulière lorsque vous travaillez dans le sens avant, et a la propriété d'une tension stable lorsque vous travaillez dans le sens inverse. Il peut produire la majeure partie de l'énergie de tension d'entrée au récepteur, garantissant ainsi la stabilité de l'ensemble du circuit. Dans le même temps, les diodes de puissance planaire en silicium Zener présentent les avantages d'une puissance élevée, d'une bonne fiabilité et d'un faible coût, qui peuvent fonctionner en toute sécurité et stable dans diverses conditions d'application.

Classification des matériaux

Les matériaux de fabrication pour les diodes Zener à puissance planaire en silicium comprennent principalement le silicium et le germanium. En raison de la faible difficulté de fabrication, de la bonne stabilité et de la large gamme de températures de fonctionnement des diodes de silicium, des diodes Zener à puissance planaire en silicium ont été largement utilisées. Cependant, l'application des diodes Zener Planar Zener germanium est limitée en raison de leur coût élevé et de leur puissance inférieure par rapport aux diodes Zener Power Power Silicon.

programme de candidature

Les diodes zener de puissance planaire en silicium sont largement utilisées dans des champs tels que les circuits de stabilisation de la tension, la gestion de l'alimentation, les capteurs, la protection contre la surtension, les téléviseurs, l'équipement de réseau, l'électronique automobile, les circuits intégrés, etc. Ils jouent un rôle irremplaçable dans divers circuits. En application, en raison du fait que la tension en régime permanent présentée par les diodes Zener est liée à la température, au courant et aux caractéristiques des composants, il est nécessaire de considérer l'influence de ces facteurs.

Stabilité de tension

La tolérance de tension Zener standard des diodes zener de puissance planaire en silicium est de ± 5%, ce qui est largement utilisé dans les situations où la stabilité du circuit est élevée et la consommation d'énergie est faible. Sa tension à l'état d'équilibre est toujours maintenue au point de fonctionnement en régime permanent spécifié, ce qui peut rendre le circuit entier plus stable et empêcher la défaillance du circuit.

Fiche technique Zener Diode 1N4748A:

Introduction des produits connexes:

1N4001: Il s'agit d'une diode de redresseur de pont classique, qui est l'un des composants les plus couramment utilisés dans les composants électroniques. Ses caractéristiques sont qu'il peut résister à de grands courants et à une résistance à haute tension.

1N5817: Il s'agit d'une diode de récupération rapide principalement utilisée dans les circuits d'alimentation tels que la commutation d'alimentation et d'umpos. Sa caractéristique est un court temps de récupération inverse, qui peut améliorer l'efficacité du circuit et réduire la consommation d'énergie.

1N4148: Il s'agit d'une diode micro-signal principalement utilisée dans les circuits de commutation à grande vitesse et les circuits de basse puissance, caractérisés par un faible courant de fuite inversé, une vitesse d'activation rapide et un faible temps de réponse.

1N5711:Il s'agit d'une diode de commutation à haut débit principalement utilisée dans les applications de radar et de télémètre, caractérisée par un temps de mise en marche court et un courant de fuite inverse faible.

1N5399: Il s'agit d'une diode de redresseur à courant élevé principalement utilisé dans les circuits automobiles et d'alimentation. Ses caractéristiques sont une résistance élevée au courant, une résistance à haute tension et une forte résistance à la rupture.

Réalisations de la R&D à puce
Puce de noyau de puce de noyau
★ Processus de fabrication de puces TVS développé 2005 Processus de fabrication de puces TVS développé 2005;
★ 2006 développé 2006 Processus de procédure de fabrication de puces de fabrication de puce à puce Zzener de ZZEner;
★ 2009 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce SF 2009 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce SF;
2010 Technologie épitaxiale développée pour fabriquer un processus de puce DB3 2010 technologie épitaxiale développée pour fabriquer un processus de puce DB3
★ 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3 2010 a développé une technologie épitaxiale pour fabriquer le processus de puce DB3;
★ 2011 a développé DU3 Chip Manufacturing 2011 a développé DU3 Chip Manufacturing Proces Proces avec des droits de brevet avec les droits des brevets;
★ CHIP DE TVS HIGHT POWER DÉVELOPPO

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