MOSFET à canal N 2SK3018 SOT-323

Fiche technique du MOSFET à canal N 2SK3018 SOT-323,2SK3018 :

Transistor à effet de champ à mode d'amélioration à canal N

CARACTÉRISTIQUES
• Protection ESD jusqu'à 2,5 KV (HBM)
• Technologie MOSFET Trench Power MV
• Interrupteur à petit signal contrôlé par tension
• Faible capacité d’entrée
• Vitesse de commutation rapide
• Faible fuite d'entrée/sortie

APPLICATIONS
• Systèmes fonctionnant sur batterie
• Relais statiques
• Interface de niveau logique directe : TTL/CMOS

Le MOSFET à canal N 2SK3018 est un commutateur à faible signal contrôlé par tension qui utilise la technologie MOSFET MV de Trench Power. L'une des principales caractéristiques de ce MOSFET est qu'il est protégé contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 2,5 kV (HBM).

Ce MOSFET est spécialement conçu pour être utilisé dans les situations où une faible capacité d'entrée et une vitesse de commutation rapide sont cruciales. Son petit boîtier améliore son application dans les appareils portables. Il est largement utilisé dans les appareils d'alimentation ou les circuits de commutation qui nécessitent une commutation marche/arrêt rapide.

L'utilisation de la technologie MOSFET MV de Trench Power dans cet appareil garantit une tension nominale et un courant de sortie élevés par rapport aux appareils MOSFET standard. La technologie utilise un processus qui entraîne une résistance à l'état passant plus faible, ce qui se traduit par une dissipation de chaleur moindre, ce qui se traduit par une efficacité plus élevée.

De plus, ce MOSFET présente une faible capacité d'entrée, ce qui le rend adapté aux applications de commutation à grande vitesse. Il présente également une vitesse de commutation rapide, ce qui se traduit par moins de pertes de commutation et une meilleure efficacité énergétique.

Le MOSFET à canal N 2SK3018 est un commutateur de signal de petite taille à commande de tension idéal, adapté aux applications nécessitant une commutation rapide. Sa faible capacité d'entrée et sa vitesse de commutation rapide le rendent adapté aux situations où les impulsions de courant sont fréquentes. De plus, sa protection ESD garantit sa résistance aux pics de tension élevés, ce qui le rend plus fiable en fonctionnement. Son petit boîtier le rend adapté à une utilisation dans des appareils portables qui nécessitent une économie d'espace.

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