MOSFET à canal N IRLML2502TRPBF

Présentation du produit MOSFET à canal N IRLML2502TRPBF

Résistance de conduction ultra faible :La résistance de conduction est très faible, seulement 26 mΩ, ce qui signifie qu'elle peut supporter des courants plus élevés sans générer trop de chaleur. Cette caractéristique lui permet de supporter une puissance de sortie plus élevée.

Puissance de sortie massive :En tant que transistor à effet de champ hautes performances, il présente une puissance de sortie très élevée. En prenant comme exemple une tension d'alimentation de 12 V, lorsque le courant statique est de 500 mA, la puissance de sortie peut atteindre 6 W. Parallèlement, sa capacité de transport de courant de 35 A le rend également adapté aux scénarios d'application à haute puissance.

Performances de commutation à grande vitesse :En tant que transistor à effet de champ hautes performances, il présente une vitesse de commutation très élevée. Son temps de commutation n'est que de 11 ns, ce qui permet de répondre rapidement aux entrées de signaux externes et de couper rapidement le courant. Cette caractéristique le rend également très adapté à une utilisation dans des circuits de commutation à grande vitesse.

Tension de drain maximale :La tension de drain maximale est de 20 V, ce qui garantit qu'elle peut supporter une tension plus élevée et des fluctuations de tension d'alimentation plus importantes.

Plage de tension de fonctionnement :La plage de tension de fonctionnement est comprise entre 4,5 V et 20 V, ce qui lui permet de s'adapter à diverses fluctuations de tension d'alimentation et à divers environnements d'application. En même temps, il dispose également d'une fonction de protection d'interface contre l'inversion de polarité de l'alimentation, garantissant qu'il ne sera pas endommagé en cas d'interfaces d'alimentation incorrectes.

Courant de décharge maximal :Le courant de décharge maximal est de 35 A, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications à haute puissance de sortie. Par exemple, les pilotes LED haute puissance, les convertisseurs DC/DC, les outils électriques, etc.

Résistance de conduction :Avec seulement une valeur optimale de 26 mΩ, cette caractéristique lui permet de délivrer une puissance électrique plus élevée sans générer trop de chaleur.

MOSFET canal N 20 V (DS) IRLML2502TRPBF, FICHE TECHNIQUE RLML2502TRPBF :

Présentation de l'entreprise : TRR Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée « TRR »)

capacité d'innovation

Une équipe R&D solide

TRR Electronics Co., Ltd. dispose d'une solide équipe de R&D axée sur la recherche et l'innovation de pointe dans le domaine des technologies électroniques. Cette équipe est composée d'ingénieurs, de scientifiques et d'experts techniques qui travaillent ensemble pour inciter l'entreprise à innover en permanence et à fournir des produits plus avancés.

Investissement continu dans la recherche et le développement

Afin de maintenir sa position de leader en matière d'innovation technologique, TRR continue d'investir dans la recherche et le développement. L'entreprise met l'accent sur la formation et les mises à jour technologiques de son équipe de R&D, garantissant ainsi que celle-ci reste toujours au courant des derniers développements technologiques et soit en mesure de transformer la technologie de pointe en produits innovants.

Lancement d'un nouveau produit

TRR Electronics Co., Ltd. lance en permanence de nouveaux produits pour répondre aux besoins en constante évolution des clients. L'entreprise est attentive aux retours du marché et ajuste sa gamme de produits en fonction des commentaires des clients et des tendances du secteur pour garantir la fourniture de solutions plus compétitives.

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