Transistors NPN 2SC2412
Les transistors NPN 2SC2412 sont des catégories basées sur la superposition des matériaux semi-conducteurs. Les transistors NPN contiennent des couches négatives, positives et négatives tandis que les transistors PNP contiennent des couches positives, négatives et positives. Mais le but du transistor (un commutateur électrique ou un amplificateur) est essentiellement le même.
Description
Équipe technique professionnelle
La direction de notre entreprise a deux professeurs de l'Université électrique de l'Université du Zhejiang, et nous avons utilisé plusieurs recherches sur l'approvisionnement en alimentation en aérospatiale et militaire de projet et développer des spécialistes en 2011, et nous avons trouvé le TRR Micro Alipping Research Institute, nous sommes professionnellement concevant et modifions le schéma de produits de l'alimentation électrique pour les clients,, économisez le coût et améliorant l'efficacité énergétique, ou remplacez la CI manque.
Expérience riche
Les actions TRR ont multiplié les technologies de base dans la plaquette, le package, les tests d'appareils et la conception d'applications, etc., nous consacrons à la recherche, à la fabrication, à la vente et à la conception du schéma d'application dans les composants de nouveau type, déjà obtenus par 80 brevets inventés autorisés nationaux, incluent le pont général MB10F dans le secteur de l'alimentation, l'industrie LED Umb10F / B7, le plus petit pont de pont et les séries High Junction Hunding Products.
Large gamme de produits
Notre entreprise se concentre sur qui fournit à l'industrie des produits et des services couramment utilisés et personnalisés en fonction des exigences pour les utilisateurs, les produits largement appliqués dans de nombreux domaines tels que l'alimentation électrique et les adaptateurs (Client: Sungrow Power Supply), Green Lighting (Clients: MLS, TOSPO Lighting), Router (Client: Huawei), Smart Phone (Client: Huawei, Xiaomi, OPPO) et Products de communication, Automobile Electrics, SAICEI, SACE, OPPOR Motors), Transformateur de fréquence, Grands et petits appareils électriques ménagers (Client: Gree), zone de garde de sécurité (Hikvision, Dahua) et d'autres domaines.
Les transistors NPN 2SC2412 sont des catégories basées sur la superposition des matériaux semi-conducteurs. Les transistors NPN contiennent des couches négatives, positives et négatives tandis que les transistors PNP contiennent des couches positives, négatives et positives. Mais le but du transistor (un commutateur électrique ou un amplificateur) est essentiellement le même.
Le transistor 2SA733 est un dispositif semi-conducteur à haute performance, stable et à faible saturation en matériau de silicium JNP épitaxial, qui a une large gamme d'applications. Ce produit a été largement utilisé dans divers domaines tels que les systèmes de contrôle automatique, les circuits d'amplificateurs, les circuits de commutation, la gestion de l'alimentation et l'électronique de communication.
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Avantages des transistors NPN 2SC2412
Un transistors NPN 2SC2412 est un type de transistor de jonction bipolaire (BJT). Il se compose d'une couche de matériau semi-conducteur de type P pris en sandwich entre deux couches de matériau semi-conducteur de type N. Les deux couches de type N agissent comme l'émetteur et le collecteur, et la couche de type P agit comme la base. Le transistor est appelé NPN car la majorité des transporteurs dans les régions de l'émetteur et des collectionneurs sont des électrons, qui sont chargés négativement.
Les avantages des transistors NPN 2SC2412 sont présentés ci-dessous:
· Gain élevé et impédance d'entrée élevée
· Faible bruit
· Vitesse de commutation rapide
· Faible coût
· Disponibilité facile
Une configuration NPN Transistors 2SC2412
Les tensions de construction et de bornes pour les transistors NPN 2SC2412 sont indiquées ci-dessus. La tension entre la base et l'émetteur (VBE) est positive à la base et négative à l'émetteur car pour un transistor NPN, le terminal de base est toujours positif par rapport à l'émetteur. La tension d'alimentation du collecteur doit également être plus positive en ce qui concerne l'émetteur (VCE).
Par conséquent, pour qu'un transistor NPN bipolaire se déroule correctement, le collecteur doit toujours plus positif en ce qui concerne la base et les terminaux d'émetteur.
Ensuite, les sources de tension sont connectées à un transistor NPN comme indiqué. Le collecteur est connecté à la tension d'alimentation VCC via la résistance de charge, RL qui agit également pour limiter le courant maximal qui circule dans l'appareil.
La tension d'alimentation de base VB est connectée à la résistance de base RB, qui est à nouveau utilisée pour limiter le courant de base maximal.
Ainsi, dans un transistors NPN 2SC2412, c'est le mouvement des porteurs de courant négatifs (électrons) à travers la région de base qui constitue une action du transistor, car ces électrons mobiles fournissent le lien entre le collecteur et les circuits d'émetteur. Ce lien entre les circuits d'entrée et de sortie est la principale caractéristique de l'action du transistor car les propriétés d'amplification des transistors proviennent du contrôle conséquente que la base exerce sur le collecteur pour émetteur le courant.
Ensuite, nous pouvons voir que le transistor est un dispositif de courant (modèle bêta) et qu'un grand courant (IC) circule librement via l'appareil entre le collecteur et les bornes d'émetteur lorsque le transistor est "entièrement". Cependant, cela ne se produit que lorsqu'un petit courant de biais (IB) s'écoule dans la borne de base du transistor en même temps, permettant ainsi à la base d'agir comme une sorte d'entrée de contrôle de courant.
Le courant dans un transistor NPN bipolaire est le rapport de ces deux courants (IC / IB), appelé gain de courant CC du dispositif et reçoit le symbole de HFE ou de nos jours bêta, ().
La valeur de peut être importante jusqu'à 200 pour les transistors standard, et c'est ce grand rapport entre IC et IB qui fait du transistor bipolaire NPN un dispositif d'amplification utile lorsqu'il est utilisé dans sa région active car IB fournit l'entrée et IC fournit la sortie. Notez que la version bêta n'a pas d'unités car c'est un rapport.
De plus, le gain actuel du transistor de la borne collecteur à la borne émetteur, IC / IE, est appelé alpha, (), et est fonction du transistor lui-même (électrons diffusant à travers la jonction).
Comme le courant d'émetteur IE est la somme d'un très petit courant de base plus un très grand courant de collecteur, la valeur d'Alpha (), est très proche de l'unité, et pour un transistor de signal à faible puissance typique, cette valeur varie d'environ 0,950 à 0,999.
Principe de travail des transistors NPN 2SC2412
Le principe de travail d'un transistors NPN 2SC2412 est basé sur le contrôle du flux de courant entre les régions de l'émetteur et du collecteur en faisant varier le courant de base. Le transistor NPN a trois bornes: l'émetteur (E), la base (b) et le collecteur (C). L'émetteur est en matériau de type N, la base est faite de matériau de type P et le collecteur est en matériau de type N.
Lorsqu'une petite tension positive est appliquée à la jonction de l'émetteur de base, la jonction devient biaisée vers l'avant, permettant aux électrons de s'écouler de l'émetteur à la base. Étant donné que la région de base est mince et légèrement dopée, seule une petite fraction de ces électrons se recombine avec des trous dans la base. La majorité des électrons continuent de s'écouler à travers la base et d'atteindre le collecteur, qui est inversé.
La jonction de collector de base biaisée crée un champ électrique qui repousse les électrons loin de la base et les attire vers le collecteur. En conséquence, un courant important circule du collecteur à l'émetteur, qui est contrôlé par le courant de base plus petit. Le rapport du courant du collecteur au courant de base est connu sous le nom de gain de courant () du transistor.
Les transistors avec des diodes NPN (NPN) sont utilisés dans une variété:
· Les applications à haute fréquence en utilisent.
· Les applications de commutation sont l'endroit où les transistors NPN sont le plus souvent utilisés.
· Ce composant est utilisé pour amplifier les circuits.
· Pour amplifier les signaux faibles, il est utilisé dans les circuits de la paire de Darlington.
· Les transistors NPN sont utilisés dans les applications où un puits de courant est requis.
· Certains circuits d'amplificateurs classiques, tels que les circuits d'amplificateurs «push-pull», utilisent ce composant.
· Dans les capteurs de température, par exemple.
· Applications à très haute fréquence.
· Dans les convertisseurs logarithmiques, cette variable est utilisée.
· Parce que l'amplification du signal se fait avec les transistors NPN. En amplifiant les circuits, il est utilisé de cette manière.
· Les convertisseurs logarithmiques sont un autre domaine où il est utilisé.
· La caractéristique de commutation du transistor NPN est l'un de ses avantages les plus importants. En conséquence, il est couramment utilisé dans les applications de commutation.
Construction des transistors NPN 2SC2412
Le transistor NPN est construit avec deux diodes qui sont connectées de telle manière que leurs dos se connectent les uns aux autres. Ces diodes sont connectées de manière à ce que les trois bornes soient formées sous le nom de base de collection et d'émetteur. Deux jonctions sont formées dans IT-One est une base d'émetteur et l'autre est une base de collection.
Le transistor NPN est créé lorsque 3 couches sont combinées, à savoir les semi-conducteurs de type N N et un semi-conducteur de type P au milieu. Deux diodes sont connectées ensemble, ce qui se traduit par quatre régions dopées car chacune des diodes a 2 régions dopées. La base créée n'aura pas de dopage uniforme.
Par conséquent, un transistor NPN est toujours construit en trois couches, dont la base est légèrement dopée, l'émetteur est fortement dopé et le collecteur est modérément dopé. La base du semi-conducteur de type P est installée au centre, entre l'émetteur et le collecteur du semi-conducteur de type N.
Le transistor fonctionne sur différents modes ou régions dépend du biais des jonctions. Il a trois modes de fonctionnement.
Mode de coupure
En mode courbé, les deux jonctions sont en biais inverse. Dans ce mode, le transistor se comporte comme un circuit ouvert. Et cela ne permettra pas au courant de circuler dans l'appareil.
Mode de saturation
Dans le mode de saturation d'un transistor, les deux jonctions sont connectées dans le biais avant. Le transistor se comporte comme un circuit rapproché et un flux de courant du collecteur à l'émetteur lorsque la tension de l'émetteur de base est élevée.
Mode actif
Dans ce mode de transistor, la jonction de l'émetteur de base est un biais avant et la jonction collector-base est biaisée inverse. Dans ce mode, le transistor fonctionne comme un amplificateur de courant.
Les flux de courant entre l'émetteur et le collecteur et la quantité de courant sont proportionnels au courant de base.
Transistors NPN 2SC2412: Comment savez-vous si un transistor est NPN ou PNP?
Orientation de la flèche sur le symbole schématique
Les symboles schématiques pour les transistors NPN et PNP sont similaires, mais l'orientation de la flèche sur l'émetteur indique le type de transistor. Dans un symbole de transistor NPN, la flèche pointe vers l'extérieur de la base, tandis que dans un symbole de transistor PNP, la flèche pointe vers l'intérieur vers la base.
Test de polarité
À l'aide d'un multimètre en mode test de diode, vous pouvez déterminer la polarité des jonctions de transistor. Pour un transistor NPN, la jonction de l'émetteur de base montrera un biais avant (faible résistance) lorsque la sonde positive est connectée à la base et à la sonde négative à l'émetteur. La jonction de collecteur de base montrera un biais inverse (haute résistance). En revanche, pour un transistor PNP, la jonction de l'émetteur de base montrera un biais avant lorsque la sonde négative est connectée à la base et à la sonde positive à l'émetteur, tandis que la jonction de collector de base montrera un biais inverse.
Tension de panne de collectionneur
Les transistors NPN 2SC2412 ont généralement une tension de panne de collection de collection plus élevée par rapport à leur tension de dégradation de la base d'émetteur, tandis que les transistors PNP ont une tension de dégradation de la base d'émetteur plus élevée par rapport à leur tension de dégradation de la base de collecteur. La mesure de ces tensions de panne peut aider à identifier le type de transistor.
Notre usine
TRR Electronics Co., Ltd est une entreprise de capital d'État contrôlant l'intérêt d'entreprise qui fait des recherches, développer, fabriquer et vendre des composants et produits discrets semi-conducteurs comme principale entreprise d'exploitation. Nous sommes une filiale de la société A-Shares citée 600059 et trouvée en 2000, ToExpand Oversea Market Business, Filial Filial Guangdong TRR Electronics Co., Ltd.
Les actions TRR ont multiplié les technologies de base dans la plaquette, le package, les tests d'appareils et la conception d'applications, etc., nous consacrons à la recherche, à la fabrication, à la vente et à la conception du schéma d'application dans les composants de nouveau type, déjà obtenus par 80 brevets inventés autorisés nationaux, incluent le pont général MB10F dans le secteur de l'alimentation, l'industrie LED Umb10F / B7, le plus petit pont de pont et les séries High Junction Hunding Products.
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