Transistor SILICIUM S8550

Fiche technique du transistor S8550 :

CARACTÉRISTIQUES

Complémentaire au S8050

Courant du collecteur : IC=0.5A

COTES MAXIMALES (Ta=25 degré sauf indication contraire)

Paramètre

Symbole Conditions de test Min Max Unité

Tension de claquage collecteur-base

V(BR)CBO

CI=-100μA, IE=0

-40 V 

Tension de claquage collecteur-émetteur

V(BR)CEO IC =-1mA, IB=0 -25 V

Tension de claquage émetteur-base

V(BR)EBO

IE= -100μA, IC=0

-5 V 

Courant de coupure du collecteur

ICBO VCB= -40V, IE=0 -0.1

μA 

Courant de coupure du collecteur

ICEO VCE= -20V, IB=0 -0.1

μA 

Courant de coupure de l'émetteur

IEBO VEB= -3V, IC=0 -0.1

μA 

hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 120 400

Gain de courant continu

hFE(2) VCE= -1V, IC= -500mA 50

Tension de saturation collecteur-émetteur

VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.6 V

Tension de saturation base-émetteur

VBE (samedi)

IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V

Fréquence de transition

fT

VCE= -6V, IC= -20mA

f=30MHz

150 MHz

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta=25 )

Le transistor S8550, également connu sous le nom de transistor à jonction bipolaire PNP, est un composant électronique populaire utilisé dans de nombreuses applications. Ce transistor peut gérer des courants de collecteur jusqu'à 700 mA et des tensions collecteur-émetteur jusqu'à 20 volts, ce qui le rend adapté à de nombreuses applications à faible consommation.

L'une des caractéristiques clés du transistor S8550 est sa complémentarité avec le transistor UTC S8050, qui est un transistor à jonction bipolaire NPN. Cette caractéristique en fait un choix idéal pour les applications nécessitant une amplification de puissance ou des circuits de commutation simples.

Une autre caractéristique importante du transistor S8550 est qu'il est sans halogène, ce qui est respectueux de l'environnement et considéré comme un avantage significatif dans la fabrication électronique moderne. L'utilisation de matériaux sans halogène dans les composants électroniques devient rapidement une pratique courante dans l'industrie.

Les applications courantes du transistor S8550 incluent les amplificateurs audio, les préamplificateurs de microphone et les régulateurs de tension. De plus, il est également utilisé dans les circuits de commutation à faible puissance tels que les pilotes de LED, les contrôleurs de moteur et les relais.

Lors de l'utilisation de transistors S8550, il est essentiel de garder à l'esprit certains paramètres de fonctionnement. Par exemple, le gain maximal de ce transistor est d'environ 630 et sa dissipation de puissance maximale est de 625 milliwatts. Un autre facteur crucial à prendre en compte est la tension base-émetteur, qui se situe généralement entre 0,6 et 0,7 volt.

Le transistor S8550 est un composant polyvalent et fiable, adapté à une large gamme d'applications à faible consommation. Sa complémentarité avec l'UTC S8050, son courant collecteur élevé et sa tension émetteur-collecteur en font un choix idéal pour plusieurs circuits d'amplification et de commutation de puissance. Le fait qu'il soit sans halogène en fait également un choix respectueux de l'environnement.

Les FRQ

Q : Fournissez-vous des échantillons ? Est-ce gratuit ?

R : Si l'échantillon est de faible valeur, nous vous fournirons 20-30 pièces à tester.

Q : Où se trouve votre usine ?

A : Dans la province du Zhejiang

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