MMBT5551

Introduction du produit:

caractéristiques de base
MMBT5551 est un transistor NPN ajustement pour les conceptions de circuits nécessitant des transistors NPN.

Avec 160 V, la tension de l'émetteur collecteur (VCEO) montre que le transistor peut résister aux tensions inversées jusqu'à 160 V.

Le courant de collecteur le plus élevé, ajusté pour les utilisations de puissance moyenne, est de 0,6 A.

La dissipation de puissance la plus élevée, adaptée aux applications de faible puissance faible, est de 0,3 W.

S'étalant généralement de 180 à 240, le gain de courant CC (HFE) indique que le transistor a une forte capacité d'amplification.

La fréquence caractéristique, adaptée à certaines utilisations à haute fréquence, est de 80 MHz.

Adoptant l'emballage SOT-23, cet emballage de montage de surface compact s'adapte à la conception de cartes de circuits imprimées à haute densité.

Habituellement, environ 0,5 V, la tension de saturation (VCE) est assez faible, ce qui aide à réduire la consommation d'énergie et à augmenter l'efficacité.

Couper le courant (ICEO): généralement dans les dizaines de la gamme Nanoamps, le courant de coupure assez modeste indique que le courant de fuite de l'appareil à l'état de coupure est également assez petit.

MATÉRIAUX GRATUITS DE DIRECT: Conforme aux règles de ROHS, ce produit écologique dépourvu d'éléments dangereux comme Mercury et Lead est.

Fiche de données:

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