TRANSISTOR NPN PBSS8110T

FICHE TECHNIQUE DU TRANSISTOR NPN PBSS8110T, PBSS8110T :

CARACTÉRISTIQUES
Type complémentaire FMMT593

COTES MAXIMALES (Ta=25 degré sauf indication contraire)
Symbole Paramètre Valeur Unité
Tension collecteur-base VCBO 120 V
Tension collecteur-émetteur VCEO 100 V
Tension émetteur-base VEBO 5 V
Courant de collecteur IC 1000 mA
Dissipation de puissance du collecteur PC 250 mW
Résistance thermique RΘJA de la jonction à la température ambiante 500 degrés/W
Température de jonction Tj 150 degrés
Température de stockage Tstg -55-+150 degré

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (degré Ta=25 sauf indication contraire)
Paramètre Symbole Conditions de test Min Typ Max Unité
Tension de claquage collecteur-base V(BR)CBO IC=100μA, IE=0 120 V
Tension de claquage collecteur-émetteur V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 100 V

TRANSISTOR NPN PBSS8110T

Le PBSS8110T est un transistor NPN conçu pour être utilisé dans divers circuits électroniques. Il s'agit d'un type complémentaire du transistor FMMT593 et ​​présente une gamme de fonctionnalités qui le rendent idéal pour une utilisation dans une gamme d'applications.

L'une des caractéristiques clés du PBSS8110T est sa tension nominale collecteur-base élevée de 120 V. Cela signifie qu'il peut résister à des applications à haute tension sans subir de panne ou de défaillance. De plus, le transistor a une tension nominale collecteur-émetteur élevée de 100 V, ce qui augmente encore sa polyvalence dans les applications électroniques.

La tension émetteur-base du PBSS8110T est de 5 V, ce qui est relativement faible par rapport aux autres transistors. Cela le rend idéal pour une utilisation dans des applications où un fonctionnement à basse tension est nécessaire ou lorsque le signal d'entrée est trop faible pour activer d'autres types de transistors.
Le PBSS8110T est capable de gérer un courant de collecteur allant jusqu'à 1000 mA, ce qui le rend adapté à une utilisation dans une gamme d'applications à courant élevé. De plus, sa puissance de dissipation maximale de 250 mW garantit qu'il est capable de fonctionner efficacement même dans des conditions de charge élevée.

En tant que transistor NPN, le PBSS8110T est utilisé dans une large gamme de circuits électroniques. Parmi les applications les plus courantes figurent les circuits d'amplification de puissance, les circuits de commutation et les circuits régulateurs de tension. Il peut également être utilisé dans les circuits d'amplification audio et vidéo, les oscillateurs et d'autres appareils électroniques.

Le transistor NPN PBSS8110T est un composant polyvalent et fiable qui peut être utilisé dans une large gamme d'applications électroniques. Grâce à ses valeurs nominales de tension et de courant élevées, il est parfaitement adapté à une utilisation dans une gamme d'applications à haute puissance. Que vous conceviez un nouveau circuit électronique ou que vous ayez simplement besoin de remplacer un transistor défectueux, le PBSS8110T est un excellent choix.

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